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自动对焦
宽场荧光显微镜

惟光开发的宽场荧光显微镜是以自动化显微镜模组为基础，针对SiC等化合物半导体样品，分析样品中的晶圆位错、层错等晶格缺陷分布。宽场荧光显微镜可以进行非接触、无损、整晶圆检测，无须化学腐蚀、解理等样品前处理工艺，自主研制的激光辅助离焦量传感器，可在紫外激发光照射样品并采集荧光信号的同时工作，实现自动聚焦和表面跟踪，加上全自动化的软件操作，用户可以轻松快捷的完成测样。

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产品概述
惟光开发的宽场荧光显微镜是以自动化显微镜模组为基础，针对SiC等化合物半导体样品，分析样品中的晶圆位错、层错等晶格缺陷分布。宽场荧光显微镜可以进行非接触、无损、整晶圆检测，无须化学腐蚀、解理等样品前处理工艺，自主研制的激光辅助离焦量传感器，可在紫外激发光照射样品并采集荧光信号的同时工作，实现自动聚焦和表面跟踪，加上全自动化的软件操作，用户可以轻松快捷的完成测样。
  • 激光自动聚焦
  • 可同位采集明场显微像、可见光波段暗场荧光像、红外波段暗场荧光像，分析样品中位错、层错等晶格缺陷的分布。
  • 自主研制的激光辅助离焦量传感器:
    可在紫外激发光照射样品并采集荧光信号的同时工作，实现自动聚焦和表面跟踪。
  • 全自动操作
  • 紫外暗场照明
  • 自动化的控制软件和数据处理软件，全软件操作。
  • 标配波长275nm紫外激发光，可按用户要求定制其它波长激发光。
  • 相关国家标准
    《中华人民共和国国家标准GB T43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法》(2023年12月28日发布，2024年7月1日实施)

性能参数
荧光激发和收集模块 激发波长 275nm
自动对焦 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪。
对焦精度 < 0.2 μm。
显微镜 2 ×，5 ×，10 ×，50 ×和100 ×物镜可选。
空间分辨率：10 × 物镜 < 2 μm；100 × 物镜 < 0.5 μm。
荧光波长范围 可见：400 ~ 700 nm
红外：685 ~ 1100 nm
荧光像视场 2 × 物镜：8 × 8 mm²；10 × 物镜：1.6 × 1.6 mm²；100 × 物镜：0.16 × 0.16 mm²。
样品移动和扫描平台 平移台 扫描范围大于300 × 300 mm2
样品台 8寸吸气台（12寸可定制），可兼容2、4、6、8寸晶圆片。
软件 控制软件 可选择区域或指定点位进行明场和暗场荧光像的自动采集和存储
数据分析 识别晶体中的沾污、划痕、微管、腐蚀坑类型、基面位错、堆积层错等
6英寸SiC外延片缺陷检测
堆叠层错（SF）
  • 明场
  • 可见荧光场
  • 红外荧光场
基面位错(BPD)
  • 明场
  • 可见荧光场
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