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SR900半导体晶圆应力＆载流子浓度测试系统

在半导体制造过程中，诸如退火、切割、光刻等工序会在材料中引入应力。这些应力可分为张应力和压应力，分别对应拉伸和压缩作用。适当的应力有助于提升器件性能，例如在硅晶体中引入张应变可提高电子迁移率，从而增强器件速度。然而，过度或不均匀的应力可能导致材料缺陷、晶圆翘曲，甚至影响器件的可靠性和寿命。SR900半导体晶圆应力&载流子浓度测试系统作为一种非破坏性检测技术，能够高灵敏度地检测材料中的应力状

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SF900半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统

PL 测试是一种无损的测试方法，可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。其主要功能包括：1）组分测定；对三元或四元系合金，如InxGa1-xN 等，通过PL 峰位确定半导体材料的禁带宽度，进而确定材料组分x ；2）杂质识别；通过光谱中的特征谱线位置，可以识别材料中的杂质元素；3）杂质浓度测定；4）半导体材料的少数载流子寿命测量；5）位错等缺陷的相关作用研究。SF900半导体晶

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DUVL900 超宽禁带半导体深紫外激发荧光测试系统

超宽禁带半导体材料如氮化铝家（AlGaN）和氧化镓（Ga2O3）相较于传统的半导体材料硅（Si）拥有更高的临界电场强度、更高的热导率和更大的饱和电子漂移速率，这些优异的性能使得利用宽禁带和超宽禁带半导体材料制作的半导体功率器件更能满足现代工业对于高功率、高电压、高频率、小体积的需求。宽禁带半导体材料的表征以载流子浓度计载流子迁移率为主。一直以来对于超宽禁带半导体材料的光谱学表征，受限于激发光源的，

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DUVOE900 深紫外光电流测试系统

近年来，宽禁带半导体材料已日趋成为日盲紫外光电探测领域的研究热点。目前，已经有各种各样的宽禁带半导体材料被用于制作日盲光电探测器，如铝镓氮（AlxGa1-xN）、氧锌镁（ZnxMg1-xO）、氧化镓（Ga2O3）和金刚石（Diamond）等。氧化镓作为继GaN和SiC之后的超宽禁带半导体材料，能够满足高效、低能耗、高频和高温等高性能应用的需求，在高压电力控制、射频通信、日盲探测、恶劣环境信号处理等

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