超宽禁带半导体材料如氮化铝家(AlGaN)和氧化镓(Ga2O3)相较于传统的半导体材料硅(Si)拥有更高的临界电场强度、更高的热导率和更大的饱和电子漂移速率,这些优异的性能使得利用宽禁带和超宽禁带半导体材料制作的半导体功率器件更能满足现代工业对于高功率、高电压、高频率、小体积的需求。宽禁带半导体材料的表征以载流子浓度计载流子迁移率为主。一直以来对于超宽禁带半导体材料的光谱学表征,受限于激发光源的,光路收集等诸多因素,尚未见行业内有针对超宽禁带半导体材料光谱学表征的仪器产品推出和报道。
惟光探真基于真实的用户需求,在行业内首次创造性的研发出DUVL900超宽禁带半导体深紫外激发荧光测试系统,可以有效地对宽禁带与超宽禁带半导体材料例如AlN和AlGaN等进行光谱表征,证明了自身强大的研发实力。