针对光谱Mapping数据的处理，一次性操作，可对整个图像数据中的每一条光谱按照设定进行批处理，获得对应的谱峰、寿命、成分等信息，并以伪彩色或3D图进行显示。

数据处理软件界面：

3D显示：

. 基础处理功能：去本底、曲线平滑、去杂线、去除接谱台阶、光谱单位转化

. 进阶功能：光谱归一化、选区获取积分、最大、最小、最大/最小值位置等

. 谱峰拟合：采用多种峰形（高斯、洛伦兹、高斯洛伦兹等）对光谱进行多峰拟合，获取峰强、峰宽、峰位、背景等信息。

. 高级功能：荧光寿命拟合，自主开发的一套时间相关单光子计数（TCSPC）荧光寿命的拟合算法，主要特色：1、从上升沿拟合光谱响应函数（IRF），无需实验获取。2、区别于简单的指数拟合，通过光谱响应函数卷积算法获得每个组分的荧光寿命，光子数比例，计算评价函数和残差，可扣除积分和响应系统时间不确定度的影响，获得更加稳定可靠的寿命数值。3、最多包含4个时间组分进行拟合。

单晶硅和多晶硅的应力检测

单晶硅和多晶硅在拉曼光谱中的特征峰位于约520 cm⁻¹处，对应于硅的晶格振动模式。当材料内部存在应力时，晶格常数发生变化，导致拉曼谱峰发生位移：

张应力（拉应力）：使晶格常数增大，拉曼谱峰向低波数方向移动。

压应力：使晶格常数减小，拉曼谱峰向高波数方向移动。

通过测量拉曼谱峰的位移量，可以定量评估材料中的应力大小。例如，在多晶硅薄膜中，拉曼谱峰的频移与残余应力之间存在线性关系，可用于计算应力值。

拉曼光谱与应变硅材料

拉曼光谱可用于表征应变硅材料的应力状态。应变的存在会导致拉曼谱峰发生位移，且位移方向和幅度与应变类型和大小相关。通过分析拉曼谱峰的变化，可以评估应变硅材料中的应力分布和应变程度，为器件设计和工艺优化提供参考。

在多种半导体检测中的拓展应用

拉曼光谱作为一种非破坏性、高灵敏度的分析技术，已在半导体领域得到广泛应用，除应力检测外，还包括以下方面：

纯度检测：拉曼光谱可用于评估半导体材料的纯度，检测杂质和污染物的存在，从而确保材料质量。

合金成分分析：在III-V族半导体合金中，拉曼光谱可用于确定组分比例，分析材料的化学组成。

结晶度评估：通过分析拉曼谱峰的形状和宽度，可以评估材料的结晶度，判断其晶体质量。

缺陷检测：拉曼光谱对晶格缺陷敏感，可用于检测材料中的缺陷和位错，评估其对器件性能的影响。