前情提要：

MicroLED从业者请移步下方。

各位惟光探真的真粉们，大家好，很开心小薇又和您见面了。

小薇不负我们上一期的约定，在本期荧光光谱系列产品应用系列第二辑中与您分享SF900在MicroLED晶圆上的应用。

如图1 所示，分别是MicroLED无图案晶圆大范围PL Mapping的峰强，峰位与寿命图。

图1. 无图案晶圆大范围PL Mapping

如图2.1-2.3所示，分别是MicroLED像素化晶圆大范围PL Mapping不同发光波长的峰强图和峰位图。

图2.1  621nm峰强与峰位

图2.2 611nm峰强与峰位

图2.3 694nm 峰强与峰位

如图3所示，为MicroLED像素化晶圆单颗粒PL Mapping的明场形貌像，峰强图与峰位

图3. 像素化晶圆单颗粒PL Mapping

接下来我们展示一下Si基量子阱外延片—PL Mapping相关数据。

图4. 1 Si基量子阱外延片—PL Mapping峰强图

由图41.可以看出，峰强主要反映晶体质量，尤其是缺陷的分布。有自动对焦后和上次无自动对焦的差别较大。

图4.2 Si基量子阱外延片—PL Mapping峰强图

由图4.2 可以看出，峰位主要反映了In组分的波动，波动有20nm左右,边缘峰位有明显的蓝移（波长峰位变小）。

4.3 Si基量子阱外延片—PL Mapping中心光谱扫描

由图4.3可以得到，中心光谱曲线上仅有一个明显的峰，就是454.1 nm的PL发光峰。

以上的结果，小薇要和您分享的是，看起来简单，但是做起来很难，不论是自动对焦显微镜的算法，还是测试过程中遇到的各种困难与想不到的KnowHow，都是测试几十轮次之后的不断迭代才可以得到的，在此特别感谢我们的合作伙伴给予的耐心，理解以及大批量的样品支持。

国内外用PLMapping方法测试缺陷与少子寿命的不少，但是其中的奥妙却不是谁都可以窥探的，就比如所采用的光斑大小所引起的干涉图案，以及刻蚀工艺到导致的峰位移动，都是需要不断深入讨论和优化的。

您猜对啦，下一期我们就要分享这部分的内容啦。

敬请期待！

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