各位真粉们，小薇又来了。

本期正式开启Raman光谱应用第一辑，在SiC残余应力测试上的应用。

如前所述，我们的SR900半导体晶圆应力与载流子浓度测试系统，拥有自动聚焦，软件分析，3D层析等多种核心技术护城河，那么，今天小薇就带您来看看SR900是如何应用在SiC的残余应力测试上的吧。

如下公式所示：

将拉曼峰位与文献中的无应力SiC比较，差值乘以系数：

值越大代表越多拉应力，越小代表越多压应力

图1. 应力分布

图2. 峰强分布

图5. 样品摆放与扫描区域

图6. 应力分布（MPa）

图7. 应力曲线分布

计算公式如下：

图8。 峰强分布（a.u.)

图9. 峰位分布（cm-1）

第三个案例，小薇带您展示一下我们强大的3D层析功能，看看我们如何给晶圆做一个全身的CT吧！

图10. 深度4μm下的应力分布

图11. 深度14μm下的应力分布

图12. 深度24μm下的应力分布

图13. 深度34μm下的应力分布

结论：中心区域不同深度扫描-应力变化，随着深度方向，异常区域逐渐缩小

好可惜呀，每一期的篇幅总是那么有限，和您说再见的时候又到啦，舍不得也没办法，我知道您会怀念小薇的。

下一期，第二辑，小薇会带您分别展示，自然翘曲与真空吸附的样品的应力对比，GaN的应力分布测试，以及多层膜的应力测试分布，并且也要和其他的方法做个详细的对比。

下期再见啦，想你们的小薇。

公司园区门口的结香，展示给你们，愿我们彼此早日永结同心。比心。