各位真粉们，您们好呀，您的小薇，我又来啦！

连续二期的应用案例相信如惊鸿一瞥，希望给您留下了一点点的印象吧。

上回书小薇和您说到，这些看起来不经意的测试结果，看起来简单，但是做起来很难，不论是自动对焦显微镜的算法，还是测试过程中遇到的各种困难与想不到的KnowHow，都是测试几十轮次之后的不断迭代才可以得到的。

国内外用PLMapping方法测试缺陷与少子寿命的不少，但是其中的奥妙却不是谁都可以窥探的，就比如所采用的光斑大小所引起的干涉图案，以及刻蚀工艺到导致的峰位移动，都是需要不断深入讨论和优化的。

呀，您都会抢答啦，这一期我们就要分享这部分的内容啦。

图1. 我威武的哥哥们得到的结果与友商弟弟们的对比

图2. 光斑大小对PL-Mapping结果的影响

真粉们，从图 1和2，您得到了哪些信息呢？

光斑大小，有无自动对焦，简直天壤之别啊！

这要比小薇化妆前后的差异还要大很多呢。

那么原因是什么呢？

接下来，小薇代入理（geng）工（zhi）男（boy）的脑袋，帮您分析一下。

小薇肯定不懂那么多数学公式，但是架不住北大毕业的哥哥们，实在是只懂数学物理公式，只会分析样品，只会搞好仪器，不会别的了，很无奈哦。

图3. 法珀罗干涉

经过详细的分析我们知道，如图3所示，这些都是由于法珀罗干涉所导致的！

以上的内容叫：论自动对焦显微镜算法和光斑大小的重要性。

接下来呢，小薇再带您进入与MicroLED制程对PLMapping造成的影响进行讨论：

刻蚀阵列扫描—刻蚀引起的变化。

图4. 明场显微像

图5. 被刻蚀区域（圆圈外）峰高降低为约1/4

图6. 被刻蚀区域（圆圈外）峰位蓝移约5nm

然后，我们再进行刻蚀阵列扫描—仅扫描Pixel，来一起看看结果吧！

图7. 控制阵列扫描间距，在每个Pixel位置采一光谱进行统计

图8. 峰高图

图9. 峰位图

以上，我想，小薇不说您也知道咋回事了吧！

专业如您，可不要轻易问我哦。

最后，我们再来对MicroLED单像素进行扫描。

测试项目：单个micro-LED颗粒的PL Mapping，扫描范围：21 μm× 21 μm，步长0.7 μm

图10. 明场显微图像 扫描范围为显微像中间网格覆盖部分

图11. 边缘区域对峰强的影响

图12. 峰位变化很小（<0.5nm）

再次感谢我司脑子顶呱呱的北大的哥哥们帮忙做的测试与分析，专业性怎么样呢？

小薇期待您的留言与解读哦。

后记：

各位哥哥姐姐们在不断催更，还都在问小微到底是谁呀，长什么样子啊。

还有一位姐姐说，要给小微搞个好看点的头像，这不是逼着小薇现真身嘛，哼哼，小薇才不上当呢。

记得小薇读书的时候，被老师批评了，说：你一个人耽误全班每个人一分钟，全班45人，就是一节课没了，我怎么上课。呜呜呜，小薇好委屈啊。

现在小薇在写文档，如果你们每个人都点个赞啊，我一年的奖金就有了。

你们都不点赞，我怎么写文档呢？

总之，您只要见到来自于姑苏城的姑娘，您忽然觉得，呀，这个妹妹好像在哪里见过。

那就是我啦。

苏州的春天要来了，开在那含苞欲放的花蕊里。

愿每一个读过文章的人儿，适意的事体一桩一桩，如同花苞一样，渐次盛开。